nand闪存什么叫NAND闪存?什么叫NOR闪存? 这两者有什么区别?

NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于nand闪存的问题，于是小编就整理了6个相关介绍nand闪存的解答，让我们一起看看吧。

文章目录：

什么叫NAND闪存?什么叫NOR闪存? 这两者有什么区别?
DRAM与NAND的区别
固态硬盘是nand还是nor
美光业界首发232层3DNAND闪存!计划明年投产
3dnand和tlc哪个好
如何看待SKHynix量产4DNAND闪存?-现代

一、什么叫NAND闪存?什么叫NOR闪存? 这两者有什么区别?

NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。

区别

1、闪存芯片读写的基本单位不同

应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。

应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。

2、应用不同

NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。

3、速度不同

N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。

参考资料来源：

二、DRAM与NAND的区别

　　DRAM与NAND的区别是：

　　1、DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。（关机就会丢失数据）。

　　2、NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

三、固态硬盘是nand还是nor

固态硬盘（SSD）一般采用 NAND 闪存作为存储介质。

NAND 闪存是一种非易失性存储器件，通常用于大容量数据存储，如固态硬盘、USB闪存驱动器等。与 NOR 闪存不同，NAND 闪存具有更高的存储密度和更快的读写速度。

由于 NAND 闪存具有更优秀的价格性能比和大容量存储能力，因此它已成为固态硬盘中的主流存储介质。同时，随着 NAND 闪存技术不断发展，固态硬盘等应用的性能和可靠性也在逐步提升。

四、美光业界首发232层3DNAND闪存!计划明年投产

近日，美光公司发布了业界首个具有232层的3DNAND闪存，并宣布该技术将会投入包括SSD在内的多种产品。
据悉，这种232层的3DNAND闪存采用3DTLC架构，原始容量为1Tb(128GB);芯片基于美光的CuA架构，并使用NAND的字符串堆叠技术。
CuA架构的设计，配合232层的高堆叠，有效减少了1Tb3DTLCNAND闪存的芯片尺寸，有望降低产品的生产成本，提升竞争力。
美光目前并未宣布232层3DTLCNANDIC的I/O速度或平面数量，但从透露的信息来看，新的内存应该会提供更高的性能，这对采用PCIe5.0接口的下一代SSD来说，无疑是一个好消息。
在具体的产品层面上，美光的技术和产品执行副总裁ScottDeBoer称，公司目前已经与第三方NAND控制器开发者达成合作，从而实现对新型内存的支持。
此外，美光表示，预计将在2022年底开始生产232层3DTLCNAND闪存，按此计划，采用这种新技术的SSD应该会在明年与用户见面。

五、3dnand和tlc哪个好

3DNAND好。
3DNAND是一种新型的闪存技术，相比传统的TLC闪存具有更高的存储密度和更长的使用寿命。3DNAND闪存采用垂直堆叠的方式，可以在同样的芯片面积内存储更多的数据，同时也能够减少电路的复杂度和功耗。此外，3DNAND闪存的寿命也比TLC闪存更长，因为它采用了更加耐用的材料和结构。相比之下，TLC闪存的存储密度和寿命都相对较低。因此，综合考虑，3DNAND闪存更好。

六、如何看待SKHynix量产4DNAND闪存?-现代

随着64层堆栈3DNAND闪存的大规模量产，全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3DNAND，几家厂商的技术方案也不太一样，SKHynix给他们的新闪存起了个4DNAND闪存的名字，在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4DNAND闪存，日前他们又宣布4DNAND闪存正式量产，目前主要是TLC类型，96层堆栈，512Gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。
根据SKHynix之前公布的信息，所谓的4DNAND闪存其实也是3DNAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（PeriUnderCell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4DNAND闪存，本质上其实还是3DNAND，4DNAND闪存有很强的商业营销味道。
SKHynix的4DNAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。
至于QLC类型的，这个未来会是SKHynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。
韩联社报道称，SKHynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4DNAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3DNAND闪存相比，4DNAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。
根据官方所说，4DNAND闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。
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到此，以上就是小编对于nand闪存的问题就介绍到这了，希望介绍关于nand闪存的6点解答对大家有用。