三星将推出 224 层闪存：速度提升 30%

三星将推出 224 层闪存：速度提升 30%

芯研所 2 月 9 日消息，据爆料，三星最快今年底能量产 224 层堆栈的闪存，性能提升 30%。三星的 3D 闪存 V-NAND 目前发展到了第七代，最高 176 层，原本计划在去年底量产，但因为 NAND 闪存价格下滑等因素，三星选择推迟量产，今年 Q1 季度才会正式量产，导致技术上稍微落后于美光等公司。

芯研所采编

不过三星在下一代闪存上有望追回来，最快今年底明年初推出第八代 V-NAND 闪存，堆栈层数首次超过 200 层，之前传闻是 228 层，现在的说法是 224 层，相当于在 128 层基础上再堆栈 96 层。

消息称，三星的 224 层闪存性能也很不错，数据速度提升了 30%，同时生产效率也提高了 30%。三星的 224 层闪存技术难度也很高，之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现 128 层闪存的公司，这次的 224 层则使用了双堆栈技术，技术挑战十分严峻。